牽手和分手來自同一雙手

好不容易，培訓課程來到最後一天...
早起的時候對自己精神喊話了一下:衝!

從Tue到Fri四天以來，八點半到實驗室報到
每天都是同樣的感覺，空盪...
安靜到連心跳聲都可以數的出來
要不是矮牆上有三兩隻麻雀在跟我道早安
我真的會懷疑，現在是世界末日嗎? 人咧?

不多說，先來把課程重新Review一遍吧!

承接昨天鍍好的Al，今天將進行第三道光罩微影製程
呼! 光罩的alignment真是不簡單啊~
昨天感覺好像很熟練，可今天卻又有點恍惚
看來要很熟悉哪裡是調什麼的，還真需要一些時間來習慣

對完之後，曝光16sec=>顯影60sec up=>挫賽...
不知道為什麼，wafer上有一片沒有吃乾淨，嗯，再顯!
可是...大概是顯太久，很多地方光阻又剝落了... Orz
後來只好用acetone洗掉，重新清洗，上光阻，曝光...
可是第二次做出來感覺也沒有比較好... = =+
(另一個人也有跟我同樣的情況，可見不是我帶賽!)
討論的原因是，曝光時間太短了... = =+
才16sec! 昨天都曝到20sec~~~ (秀芬有厲害，由此可知)
後來講師說可以，就進行Al的蝕刻，後來再泡acetone把光阻去除
接著，再塞進攝氏400度爐管進行Al-Si的融合
讓Al能跟Si完全融合(這裡我不懂...)

上午過得依舊很快，尤其我還重做一次... Orz
快快~~ 我要證書...我要Licence~~~

下午把融合好的wafer拿去做電性量測
嗯，果然大家測出來的電性都差不多(廢話，製程都一樣...)
所量測的MOS die
channel length=5um
channel width=36um
在Vds為2.5V的turn on voltage可以驅動的Ids約12mA
而在比較長通道(20um)的情況下Ids則有2.3mA
雖然不知道這樣算是好還是不好但總算是個心血結晶吧!

做完電性量測，下午就是做最後一道製程_CVD
順便來複習一下機台小常識好了:
APCVD(atmosphere Chemical Vapor Deposition)
別於PVD的地方在於
CVD是利用通入SiH4與O2進行化學反應
生成的SiO2即可沉積於置於底下石墨片的wafer上
屬於有牽涉到化學反應的沉積
而PVD則是利用高溫環境下通入的H2O與O2在Si上生成SiO2
所以會吃掉少部分的Si，以形成SiO2
這種利用高溫物理特性造成的沉積則稱之為PVD(Physical Vapor Deposition)
做完這道製程，原本裸露的合金即可受到保護
但是，以後也不能再量電性囉~

做完之後，自強社還貼心的替每人準備了一個塑膠的wafer box
據說一個要幾百塊...

稍後，我終於看到我一星期以來，引領期盼的證書了... QQ
喔買尬...我改天要去把他護貝起來! 太珍貴了...
之後跟幾位共同培訓的同伴交流一些個人資料後
愉快的結束了這星期的無塵室大作戰呼!
終於，結束了!
可是，培訓的結束，不也代表著另一個苦難的開始嗎...?
那我在輕鬆什麼?
對後... Orz