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今天實作的部份
份量開始變重了...
早上先是在第二天長好的SiO2上塗上一層正光阻
主要是為了要定義出這個MOS的源極(source)與汲極(drain)
顯影完之後，把沒有光組保護的SiO2(裸露部分)
進行BOE(Buffer Oxide Etching，主成分為HF)蝕刻
之後以硫酸+雙氧水進行去光阻
做完之後看了一下手錶，12:30am...
下午1點接續著做磷(POCl3)(讀音:趴口)擴散
之後把Silicon表面的SiO2進行HF蝕刻
再長上一層500A的Gate Oxide
今天做完，開始有疲倦感了
真的，很累...
不是體能上的累，是心理層面的累...
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